[发明专利]一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质在审
| 申请号： | 202111592435.6 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114283866A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王颀;于晓磊;李前辉;杨柳;何菁;王先良;张博;霍宗亮;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质，该方法包括：采用读电压对TLC NAND闪存第一逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果，将读取结果之间进行同或得到初始译码结果，根据初始译码结果得到TLC NAND第一逻辑页的各个分布态分别对应的初始LLR值，根据多次读取结果对初始LLR值进行修正以得到修正LLR值，根据修正LLR值对TLC NAND闪存进行译码。即利用同一物理页中的本逻辑页的数据来修正LLR值，无需利用其他逻辑页的数据来修正LLR值，以完成TLC NAND闪存正确译码，实现上简单，提高了效率和用户使用体验。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tlc nand 闪存 译码 方法 装置 系统 介质 | ||
【主权项】：
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