[发明专利]一种RCZ直拉法大热场的闷炉工艺在审
| 申请号： | 202111593708.9 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114232080A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 马新星;王军磊;王艺澄 | 申请（专利权）人： | 包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 艾中兰 |
| 地址： | 014010 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RCZ直拉法大热场的闷炉工艺，具体：（1）当单晶炉运行时间超过460h，拉多晶时间不足或炉台有其它异常，无法继续运行且主加热器可正常运行时开启闷炉工艺；（2）将埚位放置到正常引放埚位，设置主加热器功率，确保硅液上液面30分钟内液面结晶块大小不超过导流筒下沿大小，并水冷屏升到上限位；（3）在硅液上液面30分钟内液面结晶块大小不超过导流筒下沿大小的条件下，开始降坩埚位置，直至降到坩埚下限停止；（4）当硅液上液面完全结晶后主加热器在1小时内缓慢降到0kw；（5）主加热器功率降到0kw后，按正常停炉工序冷却停炉即可；该工艺简单易行，有效降低了热场件的损耗，消除了大热场闷炉时漏硅的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rcz 直拉法大热场 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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