[发明专利]多参数传感器集成芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202111597416.2 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114113250A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 边超;赵海飞;徐钰豪;佟建华;李洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空天信息创新研究院 |
| 主分类号： | G01N27/27 | 分类号： | G01N27/27;G01N27/48;G01N27/333;G01N27/416 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多参数传感器集成芯片及其制备方法，多参数传感器集成芯片包括：基底；离子传感器，用于检测待测液的离子浓度，包括离子敏感电极和对电极；pH传感器，包括一端覆盖有pH敏感膜的微型固态pH敏感电极，pH敏感电极被配置为通过pH敏感膜检测待测液的电位；参比电极，一端覆盖有环氧树脂胶；参比电极被配置为通过覆盖环氧树脂胶的参比检测区域检测pH的基础电位，以及，参比电极与离子敏感电极和对电极形成三电极体系；温度传感器，用于检测待测液的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 参数 传感器 集成 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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