[发明专利]一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块封装结构在审
| 申请号： | 202111601199.X | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114284253A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王俊;刘轶哲;邓高强;邵凌翔 | 申请（专利权）人： | 常州瑞华电力电子器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京勤行知识产权代理事务所(普通合伙) 32397 | 代理人： | 吕波 |
| 地址： | 213200 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子电力器件技术领域，特别为一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块封装结构，由Si IGBT和SiC MOSFET构成的混合全桥结构，一个桥臂由Si IGBT和碳化硅肖特基二极管构成，一个桥臂由SiC MOSFET构成。采用上述结构后，本发明本发明提供的一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，通过将Si IGBT与MOSFET封装在一个模块内，具有两种使用模式，解决了IGBT的开关损耗大、开关频率不高的问题；同时解决IGBT搭建的逆变器的纹波大的问题；同时，本发明提供的封装结构能够以较低的成本获得较好的模块性能，使复合器件的整体性能逼近同等功率等级的单一类型器件，但价格较后者具有显著优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt mosfet 构成 混合 功率 模块 封装 结构 | ||
【主权项】：
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