[发明专利]三基色发光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202111601651.2 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114497292B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;朱广敏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种三基色发光二极管芯片及其制备方法，包括：生长第一外延层；将第一外延层键合到一透明基板上；生长第二外延层；将第二外延层上键合到第一外延层上，形成第一键合层；采用激光照射第一外延层、第一键合层和第二外延层；生长第三外延层；将第三外延层键合到第二外延层上，形成第二键合层；采用激光照射第一外延层、第一键合层、第二外延层、第二键合层和第三外延层；在第三外延层的表面刻蚀形成第一凹槽、第二凹槽；在第三外延层上制备第一焊点块、第二焊点块、第三焊点块和第四焊点块。本公开能提高键合层的刻蚀速度，提升三基色发光二极管芯片的制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基色 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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