[发明专利]一种静磁耦合高强复合钕铁硼磁体及其制备方法有效
| 申请号： | 202111604662.6 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114171276B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 周炜;葛海军;邓言方;周建春;杨玉章 | 申请（专利权）人： | 余姚市宏伟磁材科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315400 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本申请涉及钕铁硼磁体技术领域，具体公开了一种静磁耦合高强复合钕铁硼磁体及其制备方法。一种静磁耦合高强复合钕铁硼磁体，主要由如下重量份数的原料制成：钕铁硼粉体100‑150份、第一增强剂8‑15份、第二增强剂0.1‑0.25份；所述第一增强剂采用包括如下方法的步骤制成：Ⅰ、将高纯Ti粉、高纯Nb粉、高纯Fe粉、高纯Ni粉混合均匀制得烧结料；Ⅱ、将烧结料在惰性气体的保护下烧结，得到化学式为Nd |
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| 搜索关键词： | 一种 耦合 高强 复合 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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