[发明专利]一种纳米花状VO2有效

专利信息
申请号: 202111609884.7 申请日: 2021-12-27
公开(公告)号: CN114249322B 公开(公告)日: 2023-04-25
发明(设计)人: 黄永鑫;金枭雨;吴锋;陈人杰;张蒙蒙;胡昕;张壹心 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: C01B32/914 分类号: C01B32/914;C01G31/02;H01M4/36;H01M10/054
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 周蜜;仇蕾安
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种纳米花状VO2(B)/V2CTx复合材料的制备方法和钠离子电池,属于钠离子电池负极材料技术领域。所述方法选择Mxene材料中的V2CTx为碳源,乙酰丙酮氧钒、偏钒酸钠或偏钒酸铵为钒源,加入硼氢化钠和硫脲,通过一步水热法,在V2CTx纳米片上生长出形貌均一的VO2(B)纳米结构,再经高温煅烧,得到纳米花状VO2(B)/V2CTx复合材料。以所述VO2(B)/V2CTx复合材料为负极材料中活性物质的钠离子电池,在100mA g‑1的电流密度下,首次放电比容量达458.64mAh g‑1,充放电循环100周仍然有270.08mAh g‑1的可逆放电比容量。
搜索关键词: 一种 纳米 vo base sub
【主权项】:
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