[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜、制备方法及应用在审
| 申请号： | 202111621293.1 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114400179A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 贾婷婷;戴文斌;蔡亚丽;于淑会;孙蓉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 魏坤宇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及铁电薄膜技术制备领域，具体公开了一种氧化铪基铁电薄膜、制备方法及应用。氧化铪基铁电薄膜的制备方法为：衬底预处理：采用有机溶剂对衬底进行清洗；底电极的沉积：采用物理气相沉积方式在衬底上沉积底电极；HZO薄膜沉积：采用脉冲激光沉积方式在底电极上沉积HZO薄膜；覆盖层沉积：采用脉冲激光沉积方式在HZO薄膜上沉积覆盖层；退火：在400‑800℃高温中通入20‑80mTorr氧气，保持3‑30min后使薄膜样品冷却至室温；顶电极沉积：采用物理气相沉积方式在覆盖层上沉积顶电极，形成氧化铪基铁电薄膜。本申请的氧化铪基铁电薄膜可用于制作负电容场效应晶体管，其具有铁电性性能优异的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 铪基铁电 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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