[发明专利]一种发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111621442.4 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114300590A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 宋长伟;朱涛;黄理承;郭园;展望;程志青;芦玲 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/24;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 彭星 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及发光器件技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括衬底和在衬底表面依次层叠设置的N型半导体层、多量子阱发光层，电子阻挡层和P型半导体层，电子阻挡层包括第一子层、第二子层和第三子层；多量子阱发光层、第一子层、第二子层和第三子层均包括同一位置设置的V型坑区域和平行于衬底的平面区域；平面区域，第一子层、第二子层和第三子层的厚度之比为50～400:0.001～50:10～400；V型坑区域，第一子层、第二子层和第三子层的厚度之比为5～20:0.001～5:5～100。这样可减少第一子层到第三子层之间的能障宽度，利于空穴注入侧壁发光区，从而提升了LED器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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