[发明专利]超结器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111623594.8 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN116364749A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安;曾大杰 | 申请（专利权）人： | 上海鼎阳通半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结器件，包括至少两层以上的沟槽填充式PN子柱，超结结构的至少部分区域中具有阻断层；在具有阻断层的区域中，阻断层的上下两层PN子柱之间形成有第一导电类型的第三外延子层；阻断层位于上下两层的第二导电类型子柱之间；具有阻断层的第二导电类型柱中至少包括一层阻断层；位于阻断层之上的各层PN子柱的击穿电压为第一电压；阻断层完全耗尽的电压为第二电压；第二电压小于第一电压；上下两层第一导电类型子柱的第三外延子层组成连接层，连接层中增加有第一导电类型离子注入杂质。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能降低器件在Vds很小时的Cds，提升器件的Cgd和体二极管的反向恢复特性，还能降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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