[发明专利]一种氮化物发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 202111624036.3 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114284406B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 徐平;唐海马 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/24;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 张勇;刘伊旸 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种氮化物发光二极管的制备方法，依次包括：处理蓝宝石衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、生长第一半导体层、生长第二半导体层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长第一半导体层为生长形成V型坑的GaN层，生长第二半导体层为生长掺碳、氢和氧的GaN层。本发明通过引入第一半导体层和第二半导体层来改善Droop现象，进而提升LED的发光效率，并提升抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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