[发明专利]纳米刻蚀精度多次离子切割装置有效

专利信息
申请号: 202111625998.0 申请日: 2021-12-29
公开(公告)号: CN113984484B 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 杜忠明;陈浩森;宋维力;杨继进;方岱宁;杨乐;李娜;李宁 申请(专利权)人: 中国科学院地质与地球物理研究所;北京理工大学
主分类号: G01N1/32 分类号: G01N1/32
代理公司: 北京市恒有知识产权代理事务所(普通合伙) 11576 代理人: 郭文浩;尹文会
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于样品表面处理技术领域,旨在解现有技术中的离子切割装置无法定量的多次重复切割和重复定位的问题,具体涉及一种纳米刻蚀精度多次离子切割装置,包括总控中心、宽离子束源、恒温系统、样品传输台、样品刻蚀真空舱、宽离子束源真空舱、真空泵和真空规,真空泵与真空规与宽离子束源真空舱连接,宽离子束源真空舱与样品刻蚀真空舱通过滑轨组件连接,宽离子束源真空舱与样品刻蚀真空舱构成一密闭舱体;宽离子束源真空舱的顶部装设有真空舱盖板,真空舱盖板上开设有透明观察窗,其位于离子束汇聚点的正上方;宽离子束源包括一个或者多个离子枪,用于产生宽离子束对样品切片;通过本发明可实现离子切割的重复高精度切割、定位。
搜索关键词: 纳米 刻蚀 精度 多次 离子 切割 装置
【主权项】:
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