[发明专利]一种单晶硅片无缺陷区深度的测量方法在审
| 申请号： | 202111627060.2 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114324394A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王邃;胡浩;张俊宝;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01N21/63 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王艳斋 |
| 地址： | 201616 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅片无缺陷区深度的测量方法。所述测量方法包括如下步骤：(1)使用光致发光成像光谱仪对单晶硅片进行分层缺陷密度测试，得到每层的缺陷分布图像，得到含有缺陷的缺陷区间；(2)对步骤(1)得到的缺陷区间进行进一步分层缺陷测试，确定累计缺陷个数为M颗时，距离单晶硅片表面的深度，即完成单晶硅片无缺陷区深度的测量；所述M≥1，且M为整数。本发明提供的测量方法简便精准，无需破坏单晶硅片试样，且容易保存试样进行重复测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 缺陷 深度 测量方法 | ||
【主权项】：
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