[发明专利]进气管道、化学气相沉积炉及向其通入前驱体的方法

摘要

一种进气管道、化学气相沉积炉及向其通入前驱体的方法，属于半导体领域。用于向化学气相沉积炉输送前驱体的进气管道包括：中空的第一管体，具有沿延伸方向依次分布的加热段和制冷段；制冷机构，与制冷段匹配连接；加热机构，与加热段匹配连接；以及中空的第二管体，与第一管体的制冷段沿轴向导热连接且管腔连通形成流体通路，并且第二管体的温度至少受控于制冷机构。该进气管能够被用于对向化学气相沉积炉中输入的前驱体进行控温，避免前驱体在沉积炉的入口处发生分解，且防止随后因沉积而堵塞入口的问题发生。