[发明专利]碲化铋-二硒化钼纳米片及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202111634635.3 申请日: 2021-12-29
公开(公告)号: CN114408875B 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 曾炜;李龙斌;石超生 申请(专利权)人: 广东省科学院化工研究所
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;H10N10/851;H10N10/852;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 薛建强
地址: 510665 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种碲化铋‑二硒化钼纳米片及其制备方法和应用。本发明的碲化铋‑二硒化钼纳米片是以碲化铋为基底,二硒化钼纳米片为阻挡层的N型热电材料,具有塞贝克系数的绝对值较高、热电性能较好的优点。本发明的碲化铋‑二硒化钼纳米片的制备方法,包括将钼源、碲化铋、硒源和还原剂分散在水中进行水热反应,再分离出固体产物进行煅烧,即得碲化铋‑二硒化钼纳米片。该碲化铋‑二硒化钼纳米片的制备方法简单和便捷的优势。碲化铋‑二硒化钼纳米片及其制备方法可适用于环保、热电和储能材料的领域。
搜索关键词: 碲化铋 二硒化钼 纳米 及其 制备 方法 应用
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