[发明专利]3D架构垂直沟道纳米硅环栅存储器的制备方法在审
| 申请号： | 202111635960.1 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN116435332A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 马忠元;陈坤基;徐骏;徐岭;李伟 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/788;H01L21/336;H10B41/30;H10B41/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210023 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种3D环栅量子点存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：其特征在于：以非晶硅作为存储器件沟道，所述非晶硅纳米柱的上下两端作为浮栅存储器沟道的源漏电极，以及环绕在非晶硅柱侧壁的纳米硅浮栅层，所述纳米硅浮栅由隧穿层、纳米硅层和高K介质控制层组成；在控制层表面沉积金属层，形成栅电极；本发明与当前的微电子工艺技术相兼容，纳米硅浮栅存储器由于其分立电荷存储的优势，在写入和擦除过程中电荷可以独立存储在彼此分立的纳米硅中，另外纳米硅浮栅存储器的隧穿层较薄，可以在较小的工作电压下完成写入和擦除的工作，实现低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 架构 垂直 沟道 纳米 硅环栅 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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