[发明专利]本征型低介电含氟聚酰亚胺薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202111636452.5 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114230791B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王汉利;王俊莉;王军;顾萍;杨振东;李伟;耿佃旭 | 申请（专利权）人： | 山东华夏神舟新材料有限公司 |
| 主分类号： | C08G73/10 | 分类号： | C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08 |
| 代理公司： | 山东竹森智壤知识产权代理有限公司 37382 | 代理人： | 邱燕燕 |
| 地址： | 256401*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于聚酰亚胺薄膜技术领域，具体涉及一种本征型低介电含氟聚酰亚胺薄膜及其制备方法。所述的本征型低介电含氟聚酰亚胺薄膜由4,4'‑二氨基‑3,3'‑二(三氟甲基)二苯基环己烷与芳香二酐单体缩聚反应得到，所述4,4'‑二氨基‑3,3'‑二(三氟甲基)二苯基环己烷是以氟化4,4'‑二氨基‑3,3'‑二甲基二苯基环己烷原料合成。本发明在分子链中引入的强极性含氟基团C‑F键极化率较低，同时含氟基团和脂环结构破坏了分子链的规整性，增大分子空间间隙，使材料单位体积内极化分子数降低，降低材料的介电常数；分子结构中含有较大比例刚性结构苯环和含氮杂化，使含氟聚酰亚胺具有优异的耐热性和尺寸稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 征型低介电含氟 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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