[发明专利]均热沟槽栅IGBT结构在审
申请号: | 202111639250.6 | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN114242787A | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 訾彤彤;李哲锋;许生根 | 申请(专利权)人: | 江苏中科君芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L23/34;H01L23/367 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种均热沟槽栅IGBT结构,包括:一个有效IGBT元胞和一个栅极热敏控制单元;所述有效IGBT元胞设置为沟槽栅型IGBT元胞;所述栅极热敏控制单元包括两个热敏电阻和两个二极管;其中一个热敏电阻和一个二极管串联形成第一串联支路用于控制栅极开通速度,第一串联支路的一端连接沟槽栅,另一端连接栅极金属;其中另一个热敏电阻和另一个二极管反向串联形成第二串联支路用于控制栅极关断速度,第二串联支路的一端连接沟槽栅,另一端连接栅极金属。本发明通过独立设置的沟槽栅以及热敏栅电阻,实现了单个元胞根据自身温度自行调节开关速度,使温度高的元胞降低损耗,从而达到降低自身结温的目的。对于整个IGBT芯片来说实现了热均衡。 | ||
搜索关键词: | 均热 沟槽 igbt 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏中科君芯科技有限公司,未经江苏中科君芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111639250.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类