[发明专利]金刚石-B4有效

专利信息
申请号: 202111641915.7 申请日: 2021-12-29
公开(公告)号: CN114315354B 公开(公告)日: 2023-02-07
发明(设计)人: 王为民;唐荣;解晶晶;何强龙;邹冀 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C04B35/528 分类号: C04B35/528;C04B35/573;C04B35/577;C04B35/563;C04B35/645
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 张秋燕
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种金刚石‑B4C‑SiC三相复合陶瓷的两步法烧结方法,以金刚石粉末、Si粉和B粉的混合物为原料,放电等离子烧结采用两步法进行原位烧结,烧结前段以100~200℃/min的速率升温至最高温度T1;随后经过5~15min的降温过程,从最高温度降至T2,从而得到金刚石‑B4C‑SiC三相复合陶瓷;其中,T1为1550℃~1600℃,T2为1500℃~1550℃,T1与T2的差值不小于40℃。本发明以匀速降至1500℃~1550℃这一温度阶段代替传统的保温阶段,有效地防止了金刚石石墨化,在低于碳化硼致密化的温度下解决了金刚石石墨化的问题,并且有效地抑制了样品中SiO2的残留,促进了样品的致密化,提高了力学性能,所得三相复合陶瓷结构致密,界面结合良好,无石墨残留,具有轻质,超硬,高强、高韧的特点。
搜索关键词: 金刚石 base sub
【主权项】:
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