[发明专利]鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法在审
| 申请号： | 202111643210.9 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114334657A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘云珍 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201821 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法，鳍结构的形成方法包括：提供一衬底；形成第一介质层，填充鳍组内的鳍片间，并衬底的表面；形成第二介质层填充鳍组，并覆盖第一介质层；蚀刻鳍组间的第二介质层，以形成沟槽；形成第三介质层填充沟槽，第一介质层和第二介质层具有相反类型的应力；执行热处理工艺，以形成隔离介质层，并去除部分厚度的隔离介质层，以暴露的部分鳍片作为鳍结构。本发明中，通过第一介质层、第二介质层以及第三介质层填充鳍组间，利用第一介质层与第二介质层具有相反类型的应力且第三介质层的应力小于第一介质层及第二介质层的应力，以平衡鳍组间的应力，从减少鳍片两侧的应力差异，防止鳍片变形。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 形成 方法 finfet 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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