[发明专利]外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法在审
| 申请号： | 202111643318.8 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114497293A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 常娟雄;黄永;汪琼;陈财;刘晓磊;邵语嫣;程晨言;王宇轩;李梹激;许琦辉;王霄;杨旭豪 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/335;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海驷合知识产权代理有限公司 31405 | 代理人： | 于秀 |
| 地址： | 241002 安徽省芜湖市弋*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法，其中的外延层的制备剥离方法，包括如下步骤：提供一衬底，并在衬底上依次采用第一生长工艺和第二生长工艺生长牺牲层；牺牲层包括第一生长工艺下生长的孔洞部和第二生长工艺下生长的平整部；在平整部上生长外延层；使用刻蚀液刻蚀牺牲层，将外延层从衬底上剥离；刻蚀液可进入孔洞部内的孔洞中进行刻蚀。通过执行本发明中的方法，在采用刻蚀液(湿法刻蚀)进行外延层剥离解决激光剥离影响外延层和衬底质量的问题的同时，保证该方法中的外延层剥离效率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 制备 剥离 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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