[发明专利]一种高介低损耗压电陶瓷继电器材料及其制备方法

摘要

本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种高介低损耗压电陶瓷继电器材料及其制备方法，由主体材料和表面镀层组成；所述主体材料的化学式为PbxSm1‑x(MnyNb1‑y)n(ZrzTi1‑z)1‑nO3+awt.％Y2O3+bwt.％Al2O3+cwt.％Sb2O3；其中，0.8≤x＜1，0.4≤y≤0.6，0.5≤z≤0.8，n＝0.15‑0.2，a＝0.55‑0.95，b＝1‑1.25，c＝0.22‑0.30；所述表面镀层为Ni‑Ag‑P层，本发明所制备压电陶瓷材料具有优异的压电性能，表面镀层腐蚀电位高，耐蚀性好，且镀速快，综合性能较好，不仅具有良好的导电性还可以对陶瓷材料起到很好的防护作用。