[发明专利]一种Fe(Se,Te)超导厚膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202111645742.6 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114318242B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 刘林飞;李贻杰;叶佳超;牟韶静;朱容稷;苗超航;柯韶东 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/06;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种Fe(Se,Te)超导厚膜及其制备方法与应用，Fe(Se,Te)超导厚膜的制备方法为：采用多通道脉冲激光沉积方法，先在镀有缓冲层的金属基带上沉积Fe(Se,Te)种子层，再在Fe(Se,Te)种子层上沉积多层Fe(Se,Te)超导层。与现有技术相比，本发明制备的Fe(Se,Te)超导厚膜具有纯C轴取向、高超导转变温度、高临界电流和高临界电流密度，在4.2K、自场下，临界电流大于300A，临界电流密度高达2.3MA/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 fe se te 超导 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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