[发明专利]半导体器件的电极制作方法及半导体器件有效
| 申请号： | 202111646390.6 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114284413B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 李增林;王国斌;李利哲 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/38;H01L33/44 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的电极制作方法及半导体器件。所述方法包括：对半导体器件的基础结构的表面进行平坦化处理后，在该基础结构表面形成硬质化合物层，之后对硬质化合物层进行刻蚀，从而使基础结构表面的局部区域暴露，再对暴露出的局部区域粗糙化处理，其后在该暴露出的局部区域上形成金属叠层，而后通过退火使金属叠层中的至少一个金属层热膨胀并抵推硬质化合物层，其后使金属叠层降温，从而在金属叠层与硬质化合物层之间形成间隙，最后利用该间隙在金属叠层的顶端面和侧壁上覆盖连续惰性金属层，形成金属堆叠结构，该惰性金属层能很好的保护金属叠层不被腐蚀。利用本发明方法制作形成的电极耐腐蚀性好，能有效保障半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
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