[发明专利]一种半导体器件在审

专利信息
申请号: 202111647288.8 申请日: 2021-12-30
公开(公告)号: CN114284219A 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 李倩;伍术;肖亮;华子群;胡思平 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L23/16 分类号: H01L23/16;H01L23/60;H01L25/18
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 孟霞
地址: 430205 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种半导体器件,包括器件结构和位于器件结构外围的保护结构,该保护结构包括第一保护结构,和位于第一保护结构上与该第一保护结构连接的第二保护结构。第一保护结构包括第一保护环,围绕第一保护环的第二保护环,以及位于第一保护环和第二保护环之间的第一连接结构。第二保护结构包括第三保护环,围绕第三保护环的第四保护环,以及位于第三保护环和第四保护环之间的第二连接结构。其中,第一连接结构将第一保护结构连接成为一个整体,第二连接结构将第二保护结构连接成为一个整体,因此第二保护结构具有更大的覆盖窗口,还可以改善第二保护结构与第一保护结构的连接,增强保护结构的隔绝性能。
搜索关键词: 一种 半导体器件
【主权项】:
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