[发明专利]一种具有负光电导效应的晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种具有负光电导效应的晶体管及其制备方法，晶体管包括基底和设置于基底之上的半导体层；半导体层上连接有电极，半导体层的全部和电极的部分被一栅介质层包覆，电极一端埋置于栅介质层内，另一端伸出至栅介质层外；半导体层为金属氧化物半导体层；栅介质层为离子胶固化得到的高单位电容栅介质。晶体管具备在单一金属氧化物半导体层晶体管中呈现负光电导现象。本发明使用特定的掩膜，采用磁控溅射制备半导体层阵列；采用热蒸发法沉积电极层阵列；最后通过丝网印刷栅介质层阵列。简化了工艺流程、降低了生产要求和成本，有利于晶体管阵列产业化生产，制得的晶体管拥有较大的回滞窗口，电流开关比可达到104，回扫亚阈值摆幅SS小于60mV/decade。