[发明专利]一种发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202111651209.0 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114256394B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 王淑姣;郭园;展望;芦玲 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 张金铭 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层，发光层包括高温多量子阱层和低温多量子阱层，低温多量子阱层包括第一子层、超晶格结构层和第二子层；超晶格结构层包括呈周期性依次交替层叠设置的AlGaN层、GaN层和AlInGaN层。该发光二极管中的V形坑浅而小，可有效抑制电子泄漏，减缓效率衰减及改善漏电性能；且还可扩大发光横截面积，增加电子空穴的有效交叠，促进载流子在阱间交互，从而提升LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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