[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统

摘要

本发明公开了提供一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统，先在衬底上形成堆叠层，该堆叠层包括交替层叠设置的层间牺牲层和层间绝缘层，再形成贯穿堆叠层的沟道结构，然后去除层间牺牲层形成第一空腔，并在第一空腔中形成第一栅极结构。接着在第一栅极结构中形成第二空腔，最后在第二空腔内依次形成第一阻挡层和第二栅极结构。本发明通过形成位于第一栅极结构和第二栅极结构之间的第一阻挡层，能够有效降低氟的侵蚀。