[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场分析方法在审
| 申请号： | 202111656161.2 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114297897A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 蒋丽梅;王渊曜;邵宴萍;邓宇辉;杨宛亭;廖宁涛;林鑫;朱冰妍;姜杰;杨琼 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06F17/11;G06F119/14 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场分析方法，包括：考虑氧空位浓度对氧化铪基铁电薄膜的影响，确定总的能量方程；通过能量方程，建立基于氧空位影响的各物理场的本构方程；确定各个物理场的控制方程；通过有限元方法进行求解，推导得到基于氧空位影响的各个物理场控制方程的弱形式，根据所述方程的弱形式建立氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场计算模型，以此模拟基于不同氧空位浓度下氧化铪基铁电薄膜多态共存的畴结构云图及其相转变规律。本申请通过计算模式的建立，能够为实验人员在实验过程中提供关于氧空位影响的理论指导，以此有效降低实验成本，并对实验过程中使用到的氧空位浓度有一个预设的范围调控值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 铪基铁电 薄膜 基于 空位 影响 分析 方法 | ||
【主权项】：
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