[发明专利]高电子迁移率晶体管器件及制作高电子迁移率晶体管的方法在审
| 申请号： | 202111656493.0 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114725213A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 阿布舍克·班纳吉;皮特·莫昂;赫伯特·德维利斯古威尔;彼得·科庞 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/417;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了高电子迁移率晶体管器件及制作高电子迁移率晶体管的方法，该高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有环形栅极、设置在环形栅极内的漏极区以及设置在环形栅极周围的环形源极区。环形栅极和环形源极区可以形成完整的圆圈。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 器件 制作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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