[发明专利]一种高硅基体溶剂中超痕量金属杂质的测定方法及测定用试剂盒在审
| 申请号： | 202111660760.1 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114324213A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 陈伟琴;应长春;顾大公;陈情丽;陈玲;李珊珊;许从应;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 宁波南大光电材料有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/31 | 分类号： | G01N21/31;G01N27/626;G01N1/44 |
| 代理公司： | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 左光明 |
| 地址： | 315800 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种高硅基体溶剂中超痕量金属杂质的测定方法，该方法对高硅基体溶剂进行加热，使高硅基体溶剂蒸发完全，加热温度低于所述金属杂质沸点并与所述高硅基体溶剂沸点相同或更高。本发明的方法能准确测定高硅基体溶剂中的金属杂质，且未使用氢氟酸，操作简便，避免了氢氟酸带来的安全问题、降低了检测成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基体 溶剂 痕量 金属 杂质 测定 方法 试剂盒 | ||
【主权项】：
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