[发明专利]超辐射发光二极管芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202111661067.6 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114388666A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张明洋;周志强;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 许美红 |
| 地址： | 430014 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超辐射发光二极管芯片，该超辐射发光二极管芯片从下至上依次包括衬底、有源区下光限制层和有源区，该有源区包括有源增益区，该有源增益区两端均设有通过对接生长方式形成的吸收区，两个吸收区的多量子阱的光致发光谱PL波长大于有源增益区的多量子阱的光致发光谱PL波长。本发明通过三段式结构，在发光区两端各集成一段吸收区，通过对接生长的方式实现两个吸收区的多量子阱的光致发光谱PL波长大于有源增益区的多量子阱的光致发光谱PL波长。对于波长短的光源，在光源传输过程中易被两侧的吸收区波长较长的材料吸收，从而实现低纹波反射的超辐射发光二极管芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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