[发明专利]一种具有多个三角形埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管在审
| 申请号： | 202111662432.5 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114551566A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 胡月;张慧;丁怡;王高峰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学温州研究院有限公司;杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周雷雷 |
| 地址： | 325024 浙江省温州市龙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有多个三角形埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管，衬底层上面为全埋氧层；全埋氧层上面为硅膜层；硅膜层包括源区、硅体、漂移区、漏区和多个三角埋氧层；源区和硅体位于硅膜层一侧，硅体包围源区，且源区位于硅膜层顶部；漏区位于硅膜层另一侧顶部；漏区、硅体和多个三角埋氧层之间的区域为漂移区；多个三角埋氧层位于全埋氧层上方；沟道由源区和漂移区之间的硅体提供；栅氧化层位于沟道和漂移区上方；扩展氧化层位于漂移区上方；扩展氧化层和栅氧化层的两个相邻侧面接触；栅氧化层被栅电极全部覆盖，扩展氧化层被栅电极部分覆盖；源电极位于源区上方，漏电极位于漏区上方。本发明的击穿电压和导通电阻性能更加优越。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 三角形 绝缘 层上硅 ldmos 晶体管 | ||
【主权项】：
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