[发明专利]光敏元件的制备方法及半导体器件

摘要

本申请涉及一种光敏元件的制备方法及半导体器件。该光敏元件的制备方法包括：提供衬底，在衬底的正面和背面分别生长第一氧化层；通过光刻的方式刻蚀掉衬底背面的第一氧化层和衬底正面周侧的第一氧化层，并通过湿法刻蚀去除光刻胶；分别对衬底的正面和背面进行离子注入生成第一掺杂区，在对衬底任一面进行离子注入时，通过保护膜保护衬底另一面；对衬底的正面和背面进行高温推结，在第一氧化层的正面、第一掺杂区的正面以及第一掺杂区的背面分别生长第二氧化层；通过光刻的方式刻蚀掉衬底正面的第一氧化层和第二氧化层，并通过干法刻蚀去除光刻胶；并在衬底正面生成第二掺杂区。本申请能够精确控制浓度和深度，节省材料和工序。