[发明专利]一种无液滴的等离子体镀膜弧源结构、镀膜系统及镀膜方法在审
| 申请号： | 202111664228.7 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114318249A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 曹时义;王俊锋 | 申请（专利权）人： | 广东鼎泰高科技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 侯柏龙 |
| 地址： | 523071 广东省东莞市厚*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无液滴的等离子体镀膜弧源结构、镀膜系统及镀膜方法，该等离子体镀膜弧源结构包括靶台、靶材、空腔辅助阳极、第一脉冲电源、直流弧电源、第二脉冲电源，靶材设于靶台表面，靶材外侧设有通道，空腔辅助阳极设于通道中，第一脉冲电源的正极与空腔辅助阳极电连接，第一脉冲电源的负极与靶材电连接，在第一脉冲电源的作用下，空腔辅助阳极产生等离子体，直流弧电源的正极外接弧源阳极，直流弧电源的负极与靶材电连接，第二脉冲电源的正极外接弧源阳极，第二脉冲电源的负极外接工件形成阴极。该等离子体镀膜弧源结构能实现无液滴、离化率高、安全性好，且实现大面积、均匀、稳定的涂层生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无液滴 等离子体 镀膜 结构 系统 方法 | ||
【主权项】：
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