[发明专利]一种新型高能离子束流产生方法有效

专利信息
申请号: 202111664336.4 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114381702B 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: 李刘合;邓大琛 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/48;C23C14/54;H01J37/317
代理公司: 北京卓岚智财知识产权代理有限公司 11624 代理人: 魏伟
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种新型高能离子束流产生方法,核心在于使用高离化率磁控溅射以及离子束流产生过程中高离化率磁控溅射放电波形与离子光学系统其他电压波形的同步控制来加速离子,包括:步骤一:选择阴极靶;步骤二:将整个环境抽至真空,调整真空度;步骤三:完成离子光学系统的接线,为了提高离子束流的稳定性,使用三层栅网组成的离子光学系统加速离子,将屏栅接正电压,加速栅接负电压,接地栅接地,阴极靶接磁控溅射电源,将高离化率磁控溅射波形、屏栅电压波形以及加速栅电压波形同步;步骤四:高离化率磁控溅射产生高密度等离子体,随后通过离子光学系统将离子引出,离子依次通过屏栅和加速栅加速形成离子束流,最后穿过接地栅到达基体。
搜索关键词: 一种 新型 高能 离子束 流产 方法
【主权项】:
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