[发明专利]一种基于n型导电SiC衬底的GaN完全垂直型电子器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111672038.X | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114497228A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 刘超;陈航 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/872;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于n型导电SiC衬底的GaN完全垂直型电子器件及其制备方法，从下至上依次包括漏极或阴极、n型导电SiC衬底、导电缓冲层、厚GaN外延层、源极或阳极；厚GaN外延层的厚度为1～100μm；本发明通过在n型导电SiC衬底上开发了导电缓冲层，在导电缓冲层通过外延生长，获得了无裂纹的厚GaN外延层，进而得到完全垂直型的GaN电子器件，改善了准垂直型器件的电流和电场拥挤的问题，静态电学性能优异，拥有良好的正反向电学特性；同时由于GaN比SiC材料的优势，本发明的完全垂直型的GaN电子器件性能更优，同时由于SiC衬底比GaN衬底尺寸更大，价格更低，本发明的完全垂直型的GaN电子器件价格更低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 导电 sic 衬底 gan 完全 垂直 电子器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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