[发明专利]一种深紫外发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111677534.4 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114464711A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘超;刘梦然 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种深紫外发光二极管及其制备方法，属于半导体光电二极管技术领域，本发明提出在深紫外发光二极管中的有源区的最后一个量子垒(LQB)与电子阻挡层(EBL)之间插入一层具有高Al组分且Al组分沿着AlGaN基DUV LED的外延生长方向线性增加的AlGaN层。此外，所述插入的AlGaN层的起始Al组分与LQB的Al组分是一样的，其终止Al组分高于EBL的Al组分。本技术所要解决的主要问题是提供一种深紫外发光二极管及其制备方法来解决AlGaN基DUVLED的载流子注入不足的问题，从而提高AlGaN基DUV LED的外量子效率与发光功率；此外，还可以解决因为在传统的AlGaN基DUVLED中引入新的结构来抑制电子泄露和增强空穴注入而产生的工艺复杂性和高成本的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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