[发明专利]垂直结构功率器件的结构、制造方法及电力电子设备在审
申请号: | 202111679649.7 | 申请日: | 2021-12-31 |
公开(公告)号: | CN114429953A | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 曾健忠 | 申请(专利权)人: | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L23/48;H01L21/8222 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 阳方玉 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种垂直结构功率器件的结构、制造方法及电力电子设备,属于半导体技术领域,通过包括P型层、介电层、第一N型区、隔离区、第二N型区、P型区和第三N型区、N型半导体柱、P型半导体柱以及金属层;第一N型区、隔离区以及第二N型区位于于P型层的上表面和介电层的下表面之间且在水平面上依次排列;相互连接的P型区和第三N型区设置于介电层的上表面;N型半导体柱设置于介电层中且连接P型区和第一N型区;P型半导体柱设置于介电层中且连接第二N型区和第三N型区;金属层设置于介电层和第二N型区之间以及P型半导体柱的侧表面;故无需额外绕线连接,简化了工艺且提高了可靠性。 | ||
搜索关键词: | 垂直 结构 功率 器件 制造 方法 电力 电子设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的