[发明专利]垂直结构功率器件的结构、制造方法及电力电子设备在审

专利信息
申请号: 202111679649.7 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114429953A 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 曾健忠 申请(专利权)人: 深圳天狼芯半导体有限公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L23/48;H01L21/8222
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 阳方玉
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种垂直结构功率器件的结构、制造方法及电力电子设备,属于半导体技术领域,通过包括P型层、介电层、第一N型区、隔离区、第二N型区、P型区和第三N型区、N型半导体柱、P型半导体柱以及金属层;第一N型区、隔离区以及第二N型区位于于P型层的上表面和介电层的下表面之间且在水平面上依次排列;相互连接的P型区和第三N型区设置于介电层的上表面;N型半导体柱设置于介电层中且连接P型区和第一N型区;P型半导体柱设置于介电层中且连接第二N型区和第三N型区;金属层设置于介电层和第二N型区之间以及P型半导体柱的侧表面;故无需额外绕线连接,简化了工艺且提高了可靠性。
搜索关键词: 垂直 结构 功率 器件 制造 方法 电力 电子设备
【主权项】:
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