[实用新型]一种MEMS半导体器件有效
| 申请号： | 202120013118.3 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN214611513U | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陈旭;吴庆才 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 唐静芳 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种MEMS半导体器件。该半导体器件包括衬底层、依次镀制在所述衬底层上的铝垫层、TiN过渡层、Ti层和TiN层，形成Al/TiN/Ti/TiN的膜层结构。本实用新型通过在铝垫层上增加TiN过渡层，消除了Ti对Al退火的影响，解决了退火后铝垫层无麻点的问题，提高了铝垫的打线成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 半导体器件 | ||
【主权项】：
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