[实用新型]一种叉指电极GaN alpha粒子探测器

摘要

本实用新型公开了一种叉指电极GaN alpha粒子探测器，包括，叉指电极，Si3N4钝化层，p‑GaN层，n‑GaN层，欧姆金属电极；所述叉指电极、Si3N4钝化层与所述p‑GaN层连接；所述p‑GaN层通过所述n‑GaN层与所述欧姆金属电极连接；所述叉指电极与Si3N4钝化层连接，本实用新型提高了GaN alpha粒子探测器的性能，使得探测器可以在高温和高辐照等极端环境下工作，提高alpha粒子的探测效率。本实用新型公开的alpha粒子探测器的制备简单、探测效率高、能量分辨率高且器件性能稳定，在核辐射探测领域有较大的应用价值。