[实用新型]太阳能电池硅片磷源浓度提高扩散装置有效
申请号: | 202120028792.9 | 申请日: | 2021-01-07 |
公开(公告)号: | CN214099641U | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 王泉龙;李琪;孙珠珠;周国栋 | 申请(专利权)人: | 徐州中辉光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 220000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了太阳能电池硅片磷源浓度提高扩散装置,属于太阳能电池片生产设备技术领域,太阳能电池硅片磷源浓度提高扩散装置,包括扩散炉管,扩散炉管的内部上侧设有沿扩散炉管长度方向设置的扩散喷淋管,扩散喷淋管的底端开设有多个沿其长度方向设置的喷淋孔,且多个喷淋孔等间距设置,扩散炉管的内部位于扩散喷淋管的下侧设有多个沿其长度方向排布的第一扩散机构和第二扩散机构,第一扩散机构和第二扩散机构交错设置,且第一扩散机构和第二扩散机构相贴合设置,可以实现利用特殊形状的扩散结构加速气流的扩散,能保证气流的均匀分布,保证了太阳能电池硅片的扩散均匀性,大大的提升了太阳能电池硅片的扩散效果和效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 硅片 浓度 提高 扩散 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的