[实用新型]一种耐抗高冲击的高速图像采集系统有效
申请号: | 202120137546.7 | 申请日: | 2021-01-19 |
公开(公告)号: | CN214203658U | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 雷传杰;卢小银;赵华;沈沉;江雨婷;唐晓世 | 申请(专利权)人: | 合肥富煌君达高科信息技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/8238 | 分类号: | H01L21/8238 |
代理公司: | 合肥维可专利代理事务所(普通合伙) 34135 | 代理人: | 吴明华 |
地址: | 230088 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种耐抗高冲击的高速图像采集系统,包括设置于前盖、后盖之间的双向挡板,CMOS板橡胶保护套、CMOS板橡胶保护盖安装于CMOS板的两侧实现CMOS板的一级缓冲抗震保护,CMOS板橡胶保护套与前盖之间设置有COMS板保护壳,COMS板保护壳通过阻尼弹簧螺丝与双头弹簧阻尼螺丝安装于双向挡板与前盖之间实现CMOS板的二级缓冲抗震保护,良好保护CMOS板避免受高冲击的影响而损坏,保护性强,前盖上的导向柱穿过COMS板保护壳上的导向孔,消除CMOS板上、下、左、右方向的位移,阻尼弹簧机械缓冲结构,每个电路板单独抗冲击保护,多级缓冲保护的结构增加了高速图像采集系统对CMOS板和主板的保护。 | ||
搜索关键词: | 一种 耐抗高 冲击 高速 图像 采集 系统 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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