[实用新型]一种用于太阳电池的薄膜沉积系统有效
申请号: | 202120160568.5 | 申请日: | 2021-01-20 |
公开(公告)号: | CN213878126U | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0747;C23C16/24;C23C16/50 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李静玉 |
地址: | 242074 安徽省宣城市经济*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型提供一种用于太阳电池的薄膜沉积系统,该系统包括:热丝沉积设备,用于在待沉积硅片的第一表面和第二表面分别沉积太阳电池的第一本征层和第二本征层;第一等离子体沉积设备,用于在待沉积硅片沉积第一本征层的一侧表面沉积第一掺杂层;第二等离子体沉积设备,用于沉积太阳电池的第二掺杂层。本实用新型实施例提供的用于太阳电池的薄膜沉积系统,通过采用热丝沉积设备,该热丝沉积设备能够实现第一本征层和第二本征层的同时制备,避免了第一本征层和第二本征层之间的间隔时间,解决了现有技术中在形成晶体硅异质结太阳电池时第二面本征层生长时距离第一面生长本征层的时间较长,因此导致第二面本征层的钝化效果比较差的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 太阳电池 薄膜 沉积 系统 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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