[实用新型]一种MOS管封装结构有效
| 申请号： | 202120216572.9 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN214043640U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 黄达利 | 申请（专利权）人： | 深圳中科四合科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/31;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) 44632 | 代理人： | 霍如肖 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOS管封装结构，器件内部封装有MOS芯片，器件底部分布设置有漏极引脚、栅极引脚和源极引脚，漏极引脚、栅极引脚和源极引脚分别与MOS芯片的漏极、栅极和源极一一对应导通；源极至源极引脚之间通过源极导通线路导通；器件的顶部设置有金属的散热层，散热层与源极导通线路之间链接导通；该封装结构以先进的Fan‑outpanel级封装技术为基础，兼容了PCB厂加工方式形成一种DFN型的封装规格，可以有效提高互连层载电流能力以及散热效果，并且占用体积小、高度低；同时扩大了有效加工面积和加工数量，降低了加工精度要求，利于低成本量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 封装 结构 | ||
【主权项】：
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