[实用新型]一种用于静电保护的可控硅结构有效
| 申请号： | 202120236475.6 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN214012941U | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 凌盛;张泽飞 | 申请（专利权）人： | 上海类比半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 吴珊;成春荣 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于静电保护的可控硅结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底中相邻的第一N型阱区和第一P型阱区；位于第一N型阱区中的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区中形成有靠近半导体衬底表面的第一N型重掺杂区，第一N型轻掺杂区周围依次形成有第一P型重掺杂区和第二N型重掺杂区；位于第一P型阱区中的P型轻掺杂区，P型轻掺杂区中分别形成有靠近半导体衬底表面的第三N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第四N型重掺杂区；覆盖部分的第一N型阱区和第一P型阱区的多晶硅层，多晶硅层暴露各个重掺杂区；第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区连接阳极，第三N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第四N型重掺杂区连接阴极，提高ESD泻放能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 静电 保护 可控硅 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
