[实用新型]一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构有效
| 申请号： | 202120316005.0 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN214046190U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 曹建峰;毛羽宏 | 申请（专利权）人： | 曹建峰 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;H05K3/46;H05K3/26;H05K1/18 |
| 代理公司： | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 234000 安徽省宿*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构，包括金属基底层，设置在金属基底层上的粘接层，设置在粘接层上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的第一隔离层，设置在第一隔离层上的第二绝缘层，在第二绝缘层上设置的传感器电路层，在第二绝缘层和传感器电路层上覆盖或不覆盖保护层。本实用新型由于氮化硅隔离层不与金属基底直接接触，杜绝了在高温环境下与金属基底发生反应的可能；同时由于氮化硅隔离层的隔离，使得氧化铝绝缘层中的针孔被阻隔，从而不会导致传感器电路层与金属基底之间的短路，确保了基于金属基底的薄膜传感器在高温环境下使用时的绝缘能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 基底 薄膜 传感器 绝缘 复合 结构 | ||
【主权项】：
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