[实用新型]一种基于SIC的高压MOS器件有效
| 申请号： | 202120378296.6 | 申请日： | 2021-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN214176043U | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈利 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247 | 代理人： | 苏娟 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于SIC的高压MOS器件，其包括：漏极形成在N型重掺杂衬底下表面，N型重掺杂衬底上设有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上设有两个不相邻的P型阱区，P型阱区上都设有P型重掺杂源区和N型重掺杂源区，P型重掺杂源区和N型重掺杂源区为横向相连接，N型重掺杂源区的侧边与P型阱区的边缘处设有一定距离，在N型轻掺杂缓冲区和P型阱区的上表面设有所述高K绝缘层，在高K绝缘层的上表面设有栅极多晶硅区，在栅极多晶硅区的上表面设有栅极电极，在P型重掺杂源区和N型重掺杂源区的上表面设有源极电极。该高压碳化硅MOS器件可以有效地实现功率器件的运行快和损耗低的性能，还可以在高频条件下提高开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sic 高压 mos 器件 | ||
【主权项】：
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