[实用新型]半导体衬底有效
| 申请号： | 202120391367.6 | 申请日： | 2021-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN214625048U | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 伊藤冬马;小出辰彦;中岛宽记;矢内有美;杉田智彦;北川白马;守田峻海 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式的半导体衬底提供一种表面积更大的半导体衬底。半导体衬底具备表面，所述表面具有包含内底面及内壁面的沟槽。内壁面具有凹部，所述凹部具有从沿着所述内壁面的表面的方向到所述沟槽的宽度方向的深度。半导体衬底在内壁面露出。另外，实施方式的半导体衬底的所述内壁面具有多个所述凹部，多个所述凹部沿着所述沟槽的深度方向或所述沟槽的内周隔开间隔配置。另外，实施方式的半导体衬底还具备半导体层，所述半导体层设置在所述表面的一部分上，沿着所述内壁面延伸。另外，实施方式的半导体衬底还具备第2表面，所述第2表面设置在所述表面的相反侧，具有至少一个包含第2内壁面的第2沟槽。另外，实施方式的半导体衬底是硅晶圆、碳化硅晶圆、玻璃晶圆、石英晶圆、蓝宝石晶圆或化合物半导体晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司，未经铠侠股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202120391367.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型锁止紧凑型指甲钳
- 下一篇：一种缝包机的摇臂结构
- 同类专利
- 专利分类
