[实用新型]一种电子元器件存诸器加固结构有效

专利信息
申请号: 202120407216.5 申请日: 2021-02-25
公开(公告)号: CN215664974U 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 张进国;刘洪荣;闵刚;梁海波 申请(专利权)人: 深圳市芯汇群微电子技术有限公司
主分类号: B65D81/07 分类号: B65D81/07;B65D25/02;B65D85/68
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市福田区福田街道福*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种电子元器件存诸器加固结构,涉及存储器技术领域,包括外壳,所述外壳的内部设置有内壳,所述内壳的内部设置有存储器,所述内壳的外壁均匀开设有第二缓冲槽,所述第二缓冲槽的内部皆设置有第二弹性件,所述外壳的内壁均匀开设有第一缓冲槽,所述第一缓冲槽的内部皆设置有第一弹性件。本实用新型通过设置的外壳、内壳、第一缓冲槽、第二缓冲槽、第一弹性件、第二弹性件、缓冲柱,缓冲柱与外壳通过第一弹性件、第一缓冲槽弹性连接,与内壳通过第二弹性件、第二缓冲槽弹性连接,使得可以在受到撞击时对撞击进行缓冲抵消,从而可以避免存储器因受到撞击而产生损伤,使得可以避免产生数据丢失的后果。
搜索关键词: 一种 电子元器件 存诸器 加固 结构
【主权项】:
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